《兰州大学学报(自科版)》
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《兰州大学学报(自科版)》  2013, Vol. 49 Issue (2): 270-275    DOI:
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基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD
保护器件可调模型研究
吴晓鹏, 杨银堂, 董刚
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安710071
A scalable model of deep submicron GGNMOS ESD protection
device based on Verilog-A
WU Xiao-peng, YANG Yin-tang, DONG Gang
School of Microelectronics, Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices with the
Ministry of Education, Xidian University, Xi’an 710071, China

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